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  • 型号: BSC150N03LD G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC150N03LD G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC150N03LD G价格参考。InfineonBSC150N03LD G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSC150N03LD G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC150N03LD G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSONMOSFET 30V SO-8

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC150N03LD GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC150N03LD_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729fhttp://www.infineon.com/dgdl/BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f

产品型号

BSC150N03LD G

Pd-PowerDissipation

1500 mW

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

15 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

15 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2.2 ns

下降时间

2.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1100pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC150N03LD GDKR

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

26W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A

系列

BSC150N03

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

零件号别名

BSC150N03LDGATMA1 SP000359362

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